كما يقول المثل، 'لا بأس إذا كانت الدائرة وأنا يمكننا العمل. إذا لم تعمل الدائرة، سأعمل.' قضية اليوم تتعلق بخلل في الأجهزة لأحد أعضاء المجموعة. دون مزيد من التوضيح، دعونا نلقي نظرة: وصف المشكلة: أخذ عينات من بطارية المنتج نموذج الدائرة لديها احتمال تسرب إضافي للتيار بمقدار 40uA. واحدة من بين خمسة نماذج أولية لديها هذه الظاهرة الشاذة. المشكلة تقع على PMOS، واستبدال PMOS مفيد. المخطط الدائري كما يلي:

عندما يكون ADC_EN مرتفعًا، يتم تشغيل أنبوب NMOS Q20، ويتم تشغيل أنبوب PMOS Q19، ويجمع ADC1 جهد VIN (ADC1≈VCC*4.7K/104.7K). عندما يكون ADC_EN منخفضًا، يتم إيقاف تشغيل كل من NMOS و PMOS، ولن يكون هناك تيار تسرب على R66 و R67 (دائرة ضرورية لاستهلاك الطاقة المنخفض).

وفقًا للمخطط التخطيطي، لا توجد مشكلة، ولكن الشذوذ الفعلي هو أنه عندما يتم إيقاف تشغيل Q19، لا يزال هناك تيار تسرب قدره 40uA. تحليل السبب: بعد التحقق بعناية من جهد VIN مع الأصدقاء في المجموعة، وُجد أن جهد البطارية المقابل لـ VIN هو بطارية 12V، أي أن جهد البطارية سيكون أعلى (أكبر من 12V) بعد شحنها بالكامل. وهذا المخطط التخطيطي تم نسخه من دائرة تجميع بطارية ليثيوم 4.2V...
عندما يتم تشغيل NMOS، يكون جهد VGS عند كلا طرفي PMOS تقريبًا مساويًا لـ VIN (أكبر من 12V)، وPMOS المستخدم هو AO3401، وأقصى جهد تحمل VGS له هو ±12V. بالإضافة إلى ذلك، سيتم حل المشكلة بعد استبدال PMOS كما هو موضح أعلاه، لذا يُشتبه في أن زيادة جهد VGS لـ PMOS تسبب ضررًا داخليًا لـ PMOS، مما قد يؤدي إلى توليد تيار تسرب إضافي.